TRS16N65FB,S1Q

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产品型号	TRS16N65FB,S1Q
制造商	Toshiba Electronic Devices and
产品介绍	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品TRS16N65FB,S1Q 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表

产品参数
pdf参数资料

Product parameter

Product Status	Active	Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	8A (DC)	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 8 A
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	40 µA @ 650 V	Operating Temperature - Junction	175°C
Mounting Type	Through Hole	Package / Case	TO-247-3
Supplier Device Package	TO-247

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