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SCS210KE2GC11

SCS210KE2GC11
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产品型号 SCS210KE2GC11
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 1200V, 10A, 3-PIN THD, SILICON-C
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)5A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 5 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247N

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