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WNSC2D30650CWQ

WNSC2D30650CWQ
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产品型号 WNSC2D30650CWQ
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)30A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 15 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V Operating Temperature - Junction175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3

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