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IV1D12020T3

IV1D12020T3
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产品型号 IV1D12020T3
制造商 Inventchip Technology
产品介绍 SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)30A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 20 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3

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