GE2X8MPS06D
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| 产品型号 | GE2X8MPS06D |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品GE2X8MPS06D 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
|---|---|---|---|
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 19A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | - | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
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GE2X8MPS06D是一款高性能、可靠性强的二极管阵列
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