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BYV415K-600PQ

BYV415K-600PQ
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产品型号 BYV415K-600PQ
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologyStandard Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)15A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.1 V @ 15 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)45 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P

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