MSRT20060A
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| 产品型号 | MSRT20060A |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品MSRT20060A 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
|---|---|---|---|
| Technology | Standard | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 200 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V | Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | Three Tower |
| Supplier Device Package | Three Tower |
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MSRT20060A是一款高性能、可靠性强的二极管阵列
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