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MBR20080CT

MBR20080CT
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产品型号 MBR20080CT
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySchottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If840 mV @ 100 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr5 mA @ 20 V Operating Temperature - Junction-
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseTwin Tower
Supplier Device PackageTwin Tower

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