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MURT10060

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产品型号 MURT10060
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologyStandard Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)50A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 100 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseThree Tower
Supplier Device PackageThree Tower

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