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MSRT20060D

MSRT20060D
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产品型号 MSRT20060D
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Series Connection
TechnologyStandard Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 200 A
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseThree Tower
Supplier Device PackageThree Tower

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