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MURTA200120R

MURTA200120R
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产品型号 MURTA200120R
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Anode
TechnologyStandard Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.6 V @ 100 A
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Mounting TypeChassis Mount Package / CaseThree Tower
Supplier Device PackageThree Tower

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