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G4S12040BM

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产品型号 G4S12040BM
制造商 Global Power Technology
产品介绍 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)64.5A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 20 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247AB

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