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APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT
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产品型号 APT10SCD65KCT
制造商 Microsemi
产品介绍 DIODE SILICON 650V 17A TO220
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Product parameter

Product StatusObsolete Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)17A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 10 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220

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