MBR60035CTRL
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| 产品型号 | MBR60035CTRL |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品MBR60035CTRL 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
|---|---|---|---|
| Technology | Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 300 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 35 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | Twin Tower |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
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MBR60035CTRL是一款高性能、可靠性强的二极管阵列
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