G3S12010BM
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| 产品型号 | G3S12010BM |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technology Co. Lt |
| 产品介绍 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P 我们努力为客户提供 Global Power Technology Co. Lt品牌的产品G3S12010BM 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
|---|---|---|---|
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 19.8A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
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