G3S12010B
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产品型号 | G3S12010B |
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制造商 | Global Power Technology Co. Lt |
产品介绍 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P 我们努力为客户提供 Global Power Technology Co. Lt品牌的产品G3S12010B 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Active | Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
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Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 39A (DC) | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247AB |
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