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G3S12010B

G3S12010B
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产品型号 G3S12010B
制造商 Global Power Technology Co. Lt
产品介绍 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
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Product parameter

Product StatusActive Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)39A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247AB

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